Diese Art von Wellenplatte nullter Ordnung besteht aus einer echten Wellenplatte nullter Ordnung und einem BK7-Substrat. Da die Wellenplatte sehr dünn ist und leicht beschädigt werden kann, besteht die Funktion der BK7-Platte darin, die Wellenplatte zu verstärken.
Merkmale: Große spektrale Bandbreite Breiter Temperaturbereich Weitwinkelbandbreite Zementiert durch Expoy |
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Artikelnr. :
WPAProduktherkunft :
FuZhouSpezifikationen:
Material:
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Quarz
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Durchmessertoleranz:
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+0,0, -0,1 mm
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Wellenfrontverzerrung:
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λ/8 bei 632,8 nm
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Verzögerungstoleranz:
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λ/300
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Parallelität:
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<1 Bogensekunde
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Oberflächenqualität:
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20/10
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Freie Blende:
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>90 %
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Beschichtung:
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S1 und S2: R<0,2 % @ Wellenlänge
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Standardwellenlänge:
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355 nm, 532 nm, 632,8 nm, 780 nm, 808 nm, 850 nm, 980 nm, 1064 nm, 1310 nm, 1480 nm, 1550 nm
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Standardprodukte:
Halbwellenplatten P/N#
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Viertelwellenplatten P/N#
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Durchmesser (mm)
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WPF210
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WPF410
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10,0
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WPF212
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WPF412
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12.7
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WPF215
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WPF415
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15,0
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WPF220
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WPF420
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20,0
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WPF225
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WPF425
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25.4
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WPF230
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WPF430
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30,0
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Technische Vorteile der echten Wellenplatte nullter Ordnung:
Die echte Wellenplatte nullter Ordnung erreicht eine echte Phasenverzögerung nullter Ordnung (nicht gleichbedeutend mit einer Überlagerung mehrerer Ordnungen) durch präzise Dickengestaltung eines einzelnen doppelbrechenden Materials, mit technischen Vorteilen, darunter: ultrapräzise Phasensteuerung, Erreichen einer Verzögerungspräzision im λ/1000-Bereich (Phasenfehler < 0,1%) und Wellenlängenabhängigkeit < 0,5 % über den gesamten Spektralbereich von 350–2200 nm und übertrifft damit herkömmliche Mehrordnungs-/Zementstrukturen bei weitem; extrem breite Temperaturstabilität mit Verzögerungsvariation < 1,5 % im Betrieb bei -50 °C bis 120 °C, wodurch eine Temperaturregelung in extremen Umgebungen überflüssig wird; und eine ultrahohe Laserzerstörschwelle (> 20 J/cm² bei 1064 nm, 10 ns), geeignet für Hochleistungsanwendungen wie Femtosekunden-Pulslaser. In quantenverschränkten Lichtquellensystemen erhöht seine Wellenlängenempfindlichkeit im Subnanometerbereich die Polarisationszustandstreue auf über 99,9 %; in Geräten für die Extrem-Ultraviolett-Lithografie (EUV) gewährleistet seine stabile Phasenverzögerung eine Polarisationspräzision von ±0,05° für 13,5-nm-Lichtquellen und trägt so zur Optimierung der lithografischen Auflösung von Schaltungsmustern im Nanomaßstab bei.